2 твердотельных накопителя GOODRAM PX500 G3 емкостью 1 ТБ


Код: 18073549293
16355 грн
Цена указана с доставкой в Украину
Товар есть в наличии
КАК ЭКОНОМИТЬ НА ДОСТАВКЕ?
Заказывайте большое количество товаров у этого продавца
Информация
  • Время доставки: 7-10 дней
  • Состояние товара: новый
  • Доступное количество: 2

Просматривая «2 твердотельных накопителя GOODRAM PX500 G3 емкостью 1 ТБ» данный товар из каталога «Твердотельные накопители» вы можете быть уверены, что после оформления заказа, доставки в Украину, вы получите именно то, что заказывали, в оговоренные сроки и европейского качества.

Твердотельный накопитель PX500 GEN.3 NVME PCIE M.2 2280

Твердотельный накопитель GOODRAM PX500 GEN.3 1 ТБ PCIe 3x4 M.2 2280

  • Емкость: 1 ТБ
  • Интерфейс: PCIe NVMe gen 3 x4
  • Формат: M.2 2280
  • Флэш-память: 3D NAND

Готов ко всему

Накопитель PX500 NVMe PCIe 3 x4 3-го поколения обеспечивает впечатляющее ускорение ПК, обеспечивая скорость до шести раз выше, чем у твердотельных накопителей SATA III. Это идеальное решение для пользователей, которые ищут способы повысить производительность своих устройств дома или в офисе. Доступен емкостью 1 ТБ, PX500 gen. 3 идеально подходит для различных приложений — от хранения данных до игр, офисной работы и повседневного использования.

Быстрый и емкий

Скорость чтения до 3500 МБ/с и скорость записи до 2800 МБ/с позволяют осуществлять быстрый запуск программ и мгновенную передачу, обеспечивая высочайший комфорт работы. Не беспокойтесь о медленной загрузке приложений или запуске системы.

Флагманские технологии

Использование интерфейса PCIe 3 x4 обеспечивает отличную пропускную способность и высокую эффективность работы даже при интенсивном использовании, что крайне важно для приложений, которым необходимы большие вычислительные ресурсы и быстрый доступ к данным. В накопителе используется ряд технологий, которые не только улучшают его производительность, но и повышают долговечность и безопасность хранимых данных. К ним относятся: код коррекции ошибок (ECC), выравнивание износа, тепловое регулирование и функция SMART.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

  • Емкость: 1 ТБ
  • Интерфейс: PCIe NVMe gen 3 x4
  • Формат: M.2 2280 (ключ M)
  • Флэш-память: 3D NAND
  • Наработка на отказ: 1 500 000 часов
  • Рабочая температура: 0°C–70°C
  • Температура хранения: -45°C–85°C
  • Размеры: 22 × 80 × 3,8 мм
  • Последовательное считывание данные: 3500 МБ/с
  • Последовательная запись данных: 2800 МБ/с
  • Произвольное чтение данных: 340 000 IOPS
  • Произвольная запись данных: 320 000 IOPS
  • TBW: 1024 ТБ