Goodram SSD PX500 Gen.3 PCIE 3X4 256GB M.2 2280


Код: 17314216906
1872 грн
Цена указана с доставкой в Украину
Товар есть в наличии
КАК ЭКОНОМИТЬ НА ДОСТАВКЕ?
Заказывайте большое количество товаров у этого продавца
Информация
  • Время доставки: 7-10 дней
  • Состояние товара: новый
  • Доступное количество: 99

Заказывая «Goodram SSD PX500 Gen.3 PCIE 3X4 256GB M.2 2280» данный товар из каталога «Твердотельные накопители», вы можете получить дополнительную скидку 4%, если произведете 100% предоплату. Размер скидки вы можете увидеть сразу при оформлении заказа на сайте. Внимание!!! Скидка распространяется только при заказе через сайт.

SSD PX500 Gen.3 PCIE 3X4 256GB M.2 2280

SSD Goodram PX500 Gen.3 PCIE 3X4 256GB M.2

  • емкость: 256gb
  • Интерфейс: pcie gen 3 x4
  • формат : M.2 2280
  • Флэш -память: 3d nand

Готово ко всему

px500 nvme pcie 3 x4 от третьего поколения обеспечивает значительное ускорение работы компьютера, предлагая в шесть раз выше скорости по сравнению с SSD SSD с интерфейсом SATA III. Это идеальное решение для пользователей, которые ищут способы повысить эффективность своих устройств дома или офиса. Доступный в емкостью 1 ТБ, PX500 Gen. 3 отлично подходит в различных приложениях - от хранения данных, до игр до офисных работ и ежедневного использования.

быстро и просторно

Скорость чтения до 3500 МБ/с и скорость записи до 2800 МБ/с позволяет быстро запустить программы и немедленную передачу, обеспечивая максимальный комфорт работы. Не беспокойтесь о бесплатной загрузке приложения или запуска системы. Емкость диска позволяет вам хранить огромные объемы данных, включая большие файлы, носитель, приложения и даже всю операционную систему, не опасаясь недостатка места в массовом хранилище.

флагманские технологии

Использование интерфейса PCIe 3 X4 обеспечивает отличную пропускную способность и высокую эффективность работы, даже при интенсивном использовании, что имеет решающее значение для приложений, нуждающихся в крупных ресурсах расчета и быстрого доступа к данным. Диск использует ряд технологий не только повышения его эффективности, но и повышение долговечности и безопасности сохраненных данных. К ним относятся, среди прочего: код коррекции ошибок (ECC), выравнивание износа, тепловое дросселирование или интеллектуальная функция.

Technical specification:
  • Capacity: 256 GB
  • Interface: PCIE NVME GEN 3 x4
  • Format: M.2 2280 (key M)
  • Flash memory: 3d NAND
  • MTBF: 1 500000 часов
  • Рабочая температура: 0 ° C-70 ° C
  • Температура хранения: -45 ° C-85 ° C
  • Размеры: 22 × 80 × 80 × мм мм>
  • 3200 мб/с
  • Запись последовательных данных: 1300 мб/с
  • Случайное чтение данных: 80 000 IOPS
  • Запись случайных данных: 250 000 IOPS
  • tbw: 150 tb
  • tbw: 150 tb