КАРТА ПАМ'ЯТІ SAMSUNG PRO PLUS MICRO SDXC ДЛЯ ТЕЛЕФОНУ 128 ГБ 180 МБ/С U3 V30
- Время доставки: 7-10 дней
- Состояние товара: новый
- Доступное количество: 54
Покупая «КАРТА ПАМ'ЯТІ SAMSUNG PRO PLUS MICRO SDXC ДЛЯ ТЕЛЕФОНУ 128 ГБ 180 МБ/С U3 V30» данный товар из каталога «SD» вы можете быть уверены, что после оформления заказа, доставки в Украину, вы получите именно то, что заказывали, в оговоренные сроки и европейского качества.
Производитель: Samsung
Код продукта: MB-MD128SA
Технические характеристики:
- Производитель: Samsung
- Модель: PRO Plus
- Тип карты: SDXC li>
- Емкость: 128 ГБ
- Скорость чтения: 180 Мбит/с
- Скорость записи: 180 Мбит/с
- Скорость записи: 180 Мбит/с 130 Мбит/с
- Класс скорости: U3
- Класс видео: V30
- Класс скорости приложения: A2
Карта памяти Samsung PRO Plus SDXC 128 ГБ U3 A2 V30 (MB-MD128SA/EU)
Вы профессиональный фотограф или видеооператор? Или, может быть, вам просто нужно больше места для ваших данных? Карта памяти Samsung PRO Plus обязательно оправдает ваши ожидания! Он предлагает емкость до 256 ГБ и обеспечивает впечатляющую скорость чтения до 180 МБ/с и скорость записи до 130 МБ/с. Благодаря карте вы сможете успешно увеличить память своего смартфона, планшета и многих других устройств.
Еще более быстрая передача
Карта Samsung PRO Plus обеспечивает невероятную скорость чтения до 180 Мбит/с, что означает, что ваши данные будут доступны в мгновение ока. Скорость записи 130 Мбит/с гарантирует мгновенное сохранение ваших файлов. Карта имеет класс скорости U3, что делает ее идеальной для записи видео 4K. Более того, видеокласс V30 позволяет осуществлять плавную запись видео в высочайшем качестве.
Емкость соответствует вашим потребностям
Вам больше не придется беспокоиться о нехватке места в телефоне или камере! Емкость 256 ГБ означает, что на карте поместятся все ваши любимые фильмы, фотографии и документы. Благодаря этому вам не придется ограничивать себя при создании нового контента! Кроме того, карта оснащена защитой от воды, высокой температуры, рентгеновского излучения, магнитного поля, падений и износа.