НОВА RAM ПАМ'ЯТЬ SAMSUNG 16 ГБ (2x8 ГБ) DDR4/PC4 2133 МГц SODIMM
- Время доставки: 7-10 дней
- Состояние товара: Б/У
- Доступное количество: 17
Просматривая «НОВА RAM ПАМ'ЯТЬ SAMSUNG 16 ГБ (2x8 ГБ) DDR4/PC4 2133 МГц SODIMM», вы можете быть уверены, что данный товар из каталога «Оперативная память» будет доставлен из Польши и проверен на целостность. В цене товара, указанной на сайте, учтена доставка из Польши. Внимание!!! Товары для Евросоюза, согласно законодательству стран Евросоюза, могут отличаться упаковкой или наполнением.
❇️ НОВАЯ ОЗУ ОЗУ ОТ ИЗВЕСТНЫХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ ПРОИЗВОДИТСЯ В КОЛЛЕКТИВНЫХ БЛИСТЕРАХ, УПАКОВАННЫХ ПО 50 ШТ.
❇️НОВАЯ ОЗУ 16 ГБ (2x8 ГБ) ДЛЯ НОУТБУКОВ (SO-DIMM)
❇️ПАРА ДВУХКАНАЛЬНЫХ
⏩16 ГБ (2x8 ГБ) 1Rx8 PC4-2133P DDR4 / PC4 - 2133 МГц
❇️ НОВАЯ ОЗУ ОТ ИЗВЕСТНЫХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ
⏩ Память подходит для ноутбуков с поддержкой памяти DDR4. Работают как с процессорами Intel, так и с AMD.
⬇️ХАРАКТЕРИСТИКИ
▶️Тип памяти: DDR4
▶️Общая емкость: 16 ГБ(2x8 ГБ)
▶️Количество модулей: 2
▶️EAN: 5711783826729
▶️Код производителя: M471A1K43BB0-CPB
▶️Бренд: Samsung
▶️Вес изделия с упаковкой: 0,01 кг
▶️Напряжение: 1,2 В
▶️ Задержка цикла: 15
▶️Частота шины памяти (МГц): 2133
▶️Тип разъема: DIMM
▶️Модель: 16 ГБ (2x8 ГБ) DDR4
❇️ОЗУ ОТ ИЗВЕСТНЫХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ
☑️ 100% работоспособность и программное обеспечение проверены.
☑️ИДЕАЛЬНОЕ СОСТОЯНИЕ Визуально воспоминания идеальны. Технически 100% работоспособен и протестирован.
НА ДРУГИХ НАШИХ АУКЦИОНАХ ВЫ КУПИТЕ: SSD-ДИСКИ, ОЗУ ОЗУ, ПРОЦЕССОРЫ И ДРУГИЕ КОМПОНЕНТЫ ДЛЯ НОУТБУКОВ/ПК
Все кости проверены программой MemTest86+, которая не выявила ошибок, поэтому вы сможете наслаждаться долгой и безотказной работой!
Memtest86+ — программа, разработанная для так называемых «стресс-тест» — его задача проверить стабильность оперативной памяти при максимальной нагрузке и обнаружить ошибки.
Каждая память упакована в антистатические пакеты:
- Защитная упаковка для электроники, интегральных схем и т.п.
- Защита компонентов от влаги и пыли
- Оснащен герметичной крышкой.
- Устойчив к влаге и электростатическим разрядам.