Ram SK Hynix 8GB DDR4 2666 МГц Sodimm FV


Код: 17170140505
1407 грн
Цена указана с доставкой в Украину
Товар есть в наличии
КАК ЭКОНОМИТЬ НА ДОСТАВКЕ?
Заказывайте большое количество товаров у этого продавца
Информация
  • Время доставки: 7-10 дней
  • Состояние товара: новый
  • Доступное количество: 2

Оплачивая «Ram SK Hynix 8GB DDR4 2666 МГц Sodimm FV» данное изделие из «Оперативная память» вы можете быть уверены, что после оформления заказа, доставки в Украину, вы получите именно то, что заказывали, в оговоренные сроки и европейского качества.

❇ Новая память о авторитетных производителях поступает из пластиковых антиэлектростатических коробок/ волдырей для хранения ОЗУ

❇ ОЗУ для ноутбука (SO DIMM)

❇ ОЗУ память на 100% эффективно от новых ноутбуков

❇8 GB 1RX8 PC4-2666V DDR4/ PC4-2666 МГц

✅merms соответствуют ноутбукам, которые поддерживают память DDR4. Они работают с процессорами Intel и AMD

иллюстративная фотография!

ram ddr4 sk hynix hma81gs6jjr8n-vk 8 gb

Тип памяти: ddr4 <

total емкость: 8 ГБ

Количество модулей: 1

ean (gtin): 0634158070143, 634158070143

Код производителя: hma81gs6jr8n-vk

Производитель: sk hynix

Вес продукта с Упаковка единиц: 0,300 кг

Дополнительные функции: Золотые заглушки

Цвет: green

напряжение: 1,20 В

задержка (задержка цикла): 19.00

Емкость для одного модуля: 8 ГБ

Скорость тактовой частоты рельса памяти (MHZ): 2666

Тип разъемов: so-dimm

Модель: hma81gs6jjr8n-vk

100% Функциональный и программа -tted. идеально. Технически, 100% функциональный и проверенный. < /H2>

Все кости были проверены с помощью программы memtest86+, которая не показывала ошибок, поэтому вы сможете насладиться длинной и неприятной работой!

memtest86+ -это программа, предназначенная для SO -SALLED « стресс-тест »-его задача-, чтобы проверить стабильность во время максимальной нагрузки ОЗУ и обнаружить возможные ошибки

❇Аdza Память упакована в мешочки ESD:
  • ▶ ️ Корпоративная упаковка электроники, интегрированных цепей и т. Д. Пыль
  • ▶ Выражается в плотном закрытии
  • ▶ ️ -резистентное к влажности и электростатическому разряду