SSD Samsung 990 PRO 2TB M.2 2280 PCI-E x4


Код: 13960162275
13984 грн
Цена указана с доставкой в Украину
Товар есть в наличии
КАК ЭКОНОМИТЬ НА ДОСТАВКЕ?
Заказывайте большое количество товаров у этого продавца
Информация
  • Время доставки: 7-10 дней
  • Состояние товара: новый
  • Доступное количество: 19

Заказывая «SSD Samsung 990 PRO 2TB M.2 2280 PCI-E x4» данный товар из каталога «Твердотельные накопители», вы можете получить дополнительную скидку 4%, если произведете 100% предоплату. Размер скидки вы можете увидеть сразу при оформлении заказа на сайте. Внимание!!! Скидка распространяется только при заказе через сайт.

Твердотельный накопитель Samsung 990 PRO 2 ТБ M.2 2280 PCIE x4 Gen4 NVMe (MZV9P2T0CW)

  • Номинальное время работы: 1,5 миллиона часов
  • Кэш-память: 1 ГБ
  • Шифрование аппаратное обеспечение: Да
  • Формат диска: M.2 2280
  • Тип чипа памяти: MLC
  • Ключ: M
  • Емкость диска: 2 ТБ
  • TBW (общее количество записанных байт): 1200 ТБ
  • Интерфейс: PCI-E x4 Gen4 NVMe
  • Скорость записи: 6900 МБ/с b> li>
  • Радиатор: Да
  • Скорость чтения: 7450 МБ/с
  • Модель: 990 PRO
  • Случайная запись: 1550000 операций ввода-вывода в секунду
  • Контроллер: Samsung Pascal
  • Произвольное чтение: 1 400 000 операций ввода-вывода в секунду.
  • Толщина: 8,2 мм.
  • Идентификатор: 12908058< /ул>

Самый продвинутый SSD-накопитель

Воспользуйтесь преимуществами PCIe® 4.0 по максимуму. Наслаждайтесь длительной и непревзойденной скоростью. Встроенная система управления температурным режимом обеспечивает чрезвычайно низкое энергопотребление, сохраняя при этом беспрецедентный уровень скорости и производительности, чтобы вы всегда имели полный контроль над игрой.

Максимальная скорость для PCIe 4.0

Гораздо более высокая производительность. Скорость произвольного чтения/записи на 40% и 55% выше, чем у 980 PRO — до 1400K/1550K IOPS, а скорость последовательного чтения/записи до 7450/6900 МБ/с почти соответствует максимальному пределу PCIe® 4.0. Забудьте об ограничениях в играх, редактировании видео и 3D, анализе данных и многих других приложениях.

Революционный уровень энергоэффективности

Меньше энергии, больше эффективности. Лучшие эксплуатационные характеристики обычно означают более высокое энергопотребление. Однако 990 PRO потребляет меньше энергии — его производительность на ватт на 50% лучше, чем у 980 PRO. Эта характеристика позволяет максимально использовать возможности стандарта PCIe® 4.0 при оптимизации энергоэффективности.

Интеллектуальное управление тепловой энергией

Плоский радиатор эффективно рассеивает тепло, предотвращая падение производительности из-за перегрева. Стабильный контроль количества выделяемого тепла и минимальный шум вентилятора в требовательных к графике играх. Тонкий чехол совместим с консолью PlayStation® 5, настольными компьютерами и ноутбуками, совместимыми с PCI-SIG® D8.

*Спецификация по стандарту PCI-SIG®D8: 8,8 мм

Создано для победителей

Лучший игровой опыт. Улучшенная производительность случайных операций более чем на 55 % обеспечивает более быструю загрузку данных, обеспечивая тем самым высочайший уровень реализма на консоли PS5 и в компьютерных играх DirectStorage. Футуристическая форма радиатора добавляет стиля и контролирует температуру накопителя. Теперь доступно с RGB-подсветкой.

Волшебник Samsung

Получите максимум от своего 990 PRO. Программное обеспечение Samsung Magician предлагает удобный набор инструментов оптимизации, которые помогут вам добиться максимальной производительности вашего твердотельного накопителя. Защитите свои данные, загружайте обновления, следите за состоянием диска и устанавливайте соответствующие комбинации светодиодной подсветки. Ваш личный набор инструментов для SSD.

Флеш-память №1 в мире

Ощутите исключительную производительность и надежность, которые гарантирует только этот бренд. мировой лидер в области флэш-памяти с 2003 года. Все прошивки и компоненты, включая всемирно известные DRAM и NAND от Samsung, производятся на собственном производстве для полного контроля качества.

* Источник: данные OMDIA за 2003–1 пол. 2022 г.: доля рынка доходов NAND