GoodRam PX500 Gen. 3 1TB M.2 2280 PCI-E x4 Gen3 NVMe SSD


Код: 18094976114
5323 грн
Ціна вказана з доставкою в Україну
Товар є в наявності
ЯК ЕКОНОМИТИ НА ДОСТАВКЕ?
Замовляйте велику кількість товарів у цього продавця
Інформація
  • Час доставки: 7-10 днів
  • Стан товару: новий
  • Доступна кількість: 18

Просматривая «Твердотельный накопитель GoodRam PX500 Gen. 3, 1 ТБ M.2 2280 PCI-E x4 Gen3 NVMe», вы можете быть уверены, что данный товар из каталога «Твердотельные накопители» будет доставлен из Польши и проверен на целостность. В цене товара, указанной на сайте, учтена доставка из Польши. Внимание!!! Товары для Евросоюза, согласно законодательству стран Евросоюза, могут отличаться упаковкой или наполнением.

SSD PX500 GEN.3 NVME PCIE M.2 2280

SSD GOODRAM PX500 GEN.3 1TB PCIe 3x4 M.2 2280

  • Ємність: 1 ТБ
  • Інтерфейс: PCIe NVMe gen 3 x4
  • Формат: M.2 2280
  • Флеш-пам'ять: 3D NAND

Готовий до будь-чого

Накопичувач 3-го покоління PX500 NVMe PCIe 3 x4 забезпечує вражаюче прискорення ПК, пропонуючи до шести разів швидкість SSD SSD SATA III. Це ідеальне рішення для користувачів, які шукають способи підвищити продуктивність своїх пристроїв вдома чи в офісі. Доступний у ємності 1 ТБ, покоління PX500. 3 ідеально підходить для різноманітних програм – від зберігання даних, ігор до офісної роботи та повсякденного використання.

Швидкий і місткий

Швидкість читання до 3500 МБ/с і швидкість запису до 2800 МБ/с забезпечують швидкий запуск програм і миттєву передачу, забезпечуючи найвищий комфорт роботи. Не турбуйтеся про повільне завантаження програм або запуск системи.

Флагманські технології

Використання інтерфейсу PCIe 3 x4 забезпечує відмінну пропускну здатність і високу ефективність роботи, навіть при інтенсивному використанні, що має вирішальне значення для програм, які потребують великих обчислювальних ресурсів і швидкого доступу до даних. Накопичувач використовує низку технологій, які не тільки покращують його продуктивність, але й збільшують довговічність і безпеку збережених даних. До них належать: код виправлення помилок (ECC), вирівнювання зносу, терморегулювання та функція SMART.

ТЕХНІЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

  • Ємність: 1 ТБ
  • Інтерфейс: PCIe NVMe gen 3 x4
  • Формат: M.2 2280 (ключ M)
  • Флеш-пам'ять: 3D NAND
  • MTBF: 1 500 000 годин
  • Робоча температура: 0°C - 70°C
  • Температура зберігання: -45°C - 85°C
  • Розміри: 22 × 80 × 3,8 мм
  • Послідовний дані читання: 3500 МБ/с
  • Послідовний запис даних: 2800 МБ/с
  • Випадкове читання даних: 340 000 IOPS
  • Випадковий запис даних: 320 000 IOPS
  • TBW: 1024 туберкульоз