Для Intel Optane Memony H10 з пам'яттю

Код: 13900389364
Как заказать
2991 грн
Цена указана с доставкой в Украину
Товар есть в наличии
КАК ЭКОНОМИТЬ НА ДОСТАВКЕ?
Заказывайте большое количество товаров у этого продавца
ВСЕ ТОВАРЫ ПРОДАВЦА №93969543
Информация
  • Время доставки: 7-10 дней
  • Состояние товара: новый
  • Доступное количество: 50

Просматривая «Для Intel Optane Memony H10 з пам'яттю», вы можете быть уверены, что данный товар из каталога «Остальные» будет доставлен из Польши и проверен на целостность. В цене товара, указанной на сайте, учтена доставка из Польши. Внимание!!! Товары для Евросоюза, согласно законодательству стран Евросоюза, могут отличаться упаковкой или наполнением.

Функция:

1. Память Intel Optan обеспечивает низкую задержку и высокую производительность при смешанных произвольных скоростях чтения/записи с небольшой глубиной очереди и ресурсоемкими рабочими нагрузками, что делает ее идеальным диском ОС для быстрого запуска и запуска приложений, а также для бесперебойной многозадачности.

2. Объединив лучшее от технологии Intel Optane и технологии Intel QLC 3D NAND, он объединяет две революционные технологии памяти и хранения данных в одном форм-факторе M.2 2280r.

3. Внедряет инновации в области хранения данных на платформе Intel, обеспечивая персонализированную работу с компьютером, более высокий уровень производительности и возможности хранения данных.

4. Идеально подходит для геймеров, представителей средств массовой информации, создателей контента, обычных пользователей и профессионалов.

5. Поддерживает протокол NVMe, интерфейс M.2 2280, универсальный для ноутбуков и настольных компьютеров, но поддерживает только новый процессор 9-го поколения.

Спецификация:

  • Тип элемента: Память
  • Емкость: 16 ГБ + 256 ГБ, 32 ГБ + 512 ГБ (дополнительно)
  • Состояние: открытая коробка, новый, без розничной упаковки.
  • Дата выпуска: 10.04.2019.
  • Условия использования: ПК/клиент/планшет.
  • Производительность.
  • Последовательное чтение: 512 ГБ: 2300 МБ/с, 256 ГБ: 1450 МБ/с
  • Последовательная запись: 512 ГБ: 1300 МБ/с, 256 ГБ: 650 МБ/с
  • Произвольное чтение (диапазон 100 %) 320 000 операций ввода-вывода в секунду
  • Произвольная запись (диапазон 100 %) 250 000 операций ввода-вывода в секунду
  • Задержка — чтение 8 лет
  • Задержка — запись 18 лет
  • li>
  • Питание — активное, 5,8 Вт
  • Питание — холостой режим L1.2: воздействие (вкл. и выкл.): 1000G/0,5 мс и 1500G/0,5 мс
  • Рабочая температура: 0 ~ 70℃.
  • Номинальная долговечность (запись на весь срок службы): 150 TBW.
  • Среднее время наработки на отказ (MTBF): 1,6 миллиона часов.
  • Не подлежит корректировке. Частота битовых ошибок (UBER): Характеристики упаковки:
  • Тип платы: M.222x80 мм
  • Интерфейс: PCle NVMe 3.0x4
  • Передовые технологии
  • Улучшенная защита данных в случае сбоя питания: ДА
  • Для технологии Intel Quick Start: ДА
  • Мониторинг и регистрация температуры: ДА
  • Комплексная защита данных: ДА

Список пакетов:

  • 1 память