Твердотельный накопитель GoodRam PX500 Gen. 3, 1 ТБ M.2 2280 PCI-E x4 Gen3 NVMe
- Время доставки: 7-10 дней
- Состояние товара: новый
- Доступное количество: 18
Просматривая «Твердотельный накопитель GoodRam PX500 Gen. 3, 1 ТБ M.2 2280 PCI-E x4 Gen3 NVMe», вы можете быть уверены, что данный товар из каталога «Твердотельные накопители» будет доставлен из Польши и проверен на целостность. В цене товара, указанной на сайте, учтена доставка из Польши. Внимание!!! Товары для Евросоюза, согласно законодательству стран Евросоюза, могут отличаться упаковкой или наполнением.
Твердотельный накопитель PX500 GEN.3 NVME PCIE M.2 2280
Твердотельный накопитель GOODRAM PX500 GEN.3 1 ТБ PCIe 3x4 M.2 2280
- Емкость: 1 ТБ
- Интерфейс: PCIe NVMe gen 3 x4
- Формат: M.2 2280
- Флэш-память: 3D NAND
Готов ко всему
Накопитель PX500 NVMe PCIe 3 x4 3-го поколения обеспечивает впечатляющее ускорение ПК, обеспечивая скорость до шести раз выше, чем у твердотельных накопителей SATA III. Это идеальное решение для пользователей, которые ищут способы повысить производительность своих устройств дома или в офисе. Доступен емкостью 1 ТБ, PX500 gen. 3 идеально подходит для различных приложений — от хранения данных до игр, офисной работы и повседневного использования.
Быстрый и емкий
Скорость чтения до 3500 МБ/с и скорость записи до 2800 МБ/с позволяют осуществлять быстрый запуск программ и мгновенную передачу, обеспечивая высочайший комфорт работы. Не беспокойтесь о медленной загрузке приложений или запуске системы.
Флагманские технологии
Использование интерфейса PCIe 3 x4 обеспечивает отличную пропускную способность и высокую эффективность работы даже при интенсивном использовании, что крайне важно для приложений, которым необходимы большие вычислительные ресурсы и быстрый доступ к данным. В накопителе используется ряд технологий, которые не только улучшают его производительность, но и повышают долговечность и безопасность хранимых данных. К ним относятся: код коррекции ошибок (ECC), выравнивание износа, тепловое регулирование и функция SMART.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:
- Емкость: 1 ТБ
- Интерфейс: PCIe NVMe gen 3 x4
- Формат: M.2 2280 (ключ M)
- Флэш-память: 3D NAND
- Наработка на отказ: 1 500 000 часов
- Рабочая температура: 0°C–70°C
- Температура хранения: -45°C–85°C
- Размеры: 22 × 80 × 3,8 мм
- Последовательное считывание данные: 3500 МБ/с
- Последовательная запись данных: 2800 МБ/с
- Произвольное чтение данных: 340 000 IOPS
- Произвольная запись данных: 320 000 IOPS
- TBW: 1024 ТБ