Goodram PX500 Gen.3 512 ГБ PCIe NVMe M.2 SSD
- Время доставки: 7-10 дней
- Состояние товара: новый
- Доступное количество: 46
Просматривая «Goodram PX500 Gen.3 512 ГБ PCIe NVMe M.2 SSD» данный товар из каталога «Твердотельные накопители» вы можете быть уверены, что после оформления заказа, доставки в Украину, вы получите именно то, что заказывали, в оговоренные сроки и европейского качества.
Твердотельный накопитель PX500 GEN.3 PCIe 3x4 512 ГБ M.2 2280
Твердотельный накопитель Goodram PX500 GEN.3 PCIe 3x4 512 ГБ M.2
- Емкость: 512 ГБ
- Интерфейс: PCIe 3-го поколения x4
- Формат >: M.2 2280
- Флэш-память: 3D NAND
Готов ко всему
Накопитель PX500 NVMe PCIe 3 x4 третьего поколения обеспечивает впечатляющее ускорение ПК, обеспечивая скорость до шести раз выше, чем у твердотельных накопителей SATA III. Это идеальное решение для пользователей, которые ищут способы повысить производительность своих устройств дома или в офисе. Доступный емкостью 1 ТБ, PX500 3-го поколения идеально подходит для различных приложений — от хранения данных до игр, офисной работы и повседневного использования.
Быстрый и просторный
Скорость чтения до 3500 МБ/с и скорость записи до 2800 МБ/с обеспечивают быстрый запуск программ и мгновенную передачу, обеспечивая максимальный комфорт работы. Не беспокойтесь о медленной загрузке приложений или запуске системы. Емкость диска позволяет хранить огромные объемы данных, включая большие файлы, мультимедиа, приложения и даже всю операционную систему, не беспокоясь о нехватке места в массовой памяти.
Флагманские технологии
Использование интерфейса PCIe 3 x4 обеспечивает отличную пропускную способность и высокую эффективность работы даже при интенсивном использовании, что крайне важно для приложений, которым необходимы большие вычислительные ресурсы и быстрый доступ к данным. В накопителе используется ряд технологий, которые не только улучшают его производительность, но и повышают долговечность и безопасность хранимых данных. К ним относятся: код коррекции ошибок (ECC), выравнивание износа, тепловое регулирование и функция SMART.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:
- Емкость: 512 ГБ
- Интерфейс: PCIe NVMe 3-го поколения x4 b> li>
- Формат: M.2 2280 (клавиша M)
- Флэш-память: 3D NAND
- Наработка на отказ: 1 500 000 часов
- Рабочая температура: 0–70 °C
- Температура хранения: -45°C – 85°C
- Размеры: 22 × 80 × 3,8 мм
- Последовательное считывание данных: 3200 МБ/с.
- Последовательная запись данных: 2400 МБ/с.
- Случайное чтение данных: 110 000 операций ввода-вывода в секунду.
- Запись произвольных данных: 250 000 операций ввода-вывода в секунду.
- TBW: 300 ТБ.