KINGSTON KVR1066D3Q8R7SK3/24G 3x8GB DDR3 ECC REG
- Время доставки: 7-10 дней
- Состояние товара: Б/У
- Доступное количество: 4
Просматривая «KINGSTON KVR1066D3Q8R7SK3/24G 3x8GB DDR3 ECC REG» данное изделие из «Оперативная память» вы можете быть уверены, что после оформления заказа, доставки в Украину, вы получите именно то, что заказывали, в оговоренные сроки и европейского качества.
KINGSTON KVR1066D3Q8R7SK3/24G 3x8 ГБ DDR3 ECC REG
СОСТОЯНИЕ: УДАЛЕНО С НОВЫХ СЕРВЕРОВ ASUS
НДС 23%< /п>
KVR1066D3Q8R7SK3/24G
24 ГБ (8 ГБ 1024 МБ x 72 бит x 3 шт.) PC3-8500
Зарегистрировано CL7 с 240-контактным модулем DIMM с контролем четности
Кингстонский документ №. VALUERAM0857-001.A00 18/09/09 Страница 1
ОПИСАНИЕ
KVR1066D3Q8R7SK3/24G компании ValueRAM представляет собой комплект из трех 1024M
x 72-битных 8 ГБ ( 8192 МБ) DDR3-1066 CL7 SDRAM (синхронная
DRAM), зарегистрированная с четностью, четырехранговые модули памяти, основанные
на тридцати шести 256M x 8-битных DDR3-1066 FBGA компонентов на
модуль. Общая емкость комплекта составляет 24 ГБ. УЗИП запрограммированы на
стандартную задержку JEDEC 1066 МГц, синхронизацию 7-7-7 при напряжении 1,5 В. Каждый
240-контактный модуль DIMM использует позолоченные контактные пальцы и требует напряжения +1,5 В.
Электрические и механические характеристики следующие:
ХАРАКТЕРИСТИКИ
• Стандартный источник питания JEDEC 1,5 В ± 0,075 В
• VDDQ = 1,5 В ± 0,075 В
• 533 МГц fCK для скорости 1066 Мбит/сек/контакт
• 8 независимых внутренних банков
• Программируемая задержка CAS: 6,7, 8,9
• Программируемая аддитивная задержка: 0, CL – 2 или CL – 1 такт.
• Программируемая задержка записи CAS (CWL) = 6 (DDR3-1066)
p>
• 8-битная предварительная выборка
• Длина пакета: 8 (чередование без каких-либо ограничений, последовательное
только с начальным адресом «000»), 4 с tCCD = 4, что
не позволяет осуществлять плавное чтение или запись [на лету с использованием A12
или MRS]
• Двунаправленный дифференциальный строб данных
• Внутренняя (само) калибровка: Внутренняя самокалибровка через контакт ZQ
(RZQ: 240 Ом ± 1%)
• На оконечной нагрузке кристалла с использованием контакта ODT
p>
• Термодатчик на модуле DIMM (класс B)
• Средний период обновления 7,8 мкс при температуре ниже TCASE 85 °C,
3,9 США при 85°C < TCASE ≤ 95°C
• Асинхронный сброс
• Плата: высота 1,180 дюйма (30,00 мм), двусторонний компонент
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
CL(IDD) 7 циклов
Время цикла строки (tRCmin) 50,63 нс (мин)
Обновление до активного состояния/обновление 160 нс (мин)
Время выполнения команды (tRFCmin)
Время активности строки (tRASmin) 37,5 нс (мин)
Мощность 3,705 Вт (на модуль)
UL Номинальное напряжение 94 В – 0
Рабочая температура от 0° C до 85° C
Температура хранения от -55° C до +100° C