Оригинальный международный выпрямитель на МОП-транзисторе IRFZ34N

В МОП-транзисторах HEXFET пятого поколения компании International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения наименьшего сопротивления проводимости на единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми славятся МОП-транзисторы HEXFET, предоставляет разработчику чрезвычайно эффективное устройство для использования в широком диапазоне приложений. Корпус TO-220 широко используется во всех коммерческих/промышленных приложениях с уровнем рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое термическое сопротивление TO-220 и низкая стоимость упаковки способствуют его широкому распространению в отрасли.

ID при TC = 25°C — непрерывный ток стока, VGS при 10 В: 26 А

ID @ TC = 100°C — непрерывный ток стока, VGS при 10 В: 18 А

IDM — импульсный ток стока: 100 А

PD @ TC = 25°C — рассеяние мощность, 56 Вт

Коэффициент снижения мощности в зависимости от температуры: 0,37 Вт/°C

VGS — напряжение затвор-исток: ±20 В

EAS - Энергия одиночного импульса лавины: 110 мДж

IAR - Ток лавины: 16 А

EAR - Энергия повторяющейся лавины: 5,6 мДж

dv/dt - Максимальная скорость изменения напряжения на диоде в обратном состоянии: 4,6 В/нс

TJ - Температура перехода при работе: от -55°C до +175°C

TSTG - Диапазон температур хранения : от -55 °C до +175 °C

Температура пайки, в течение 10 секунд: 300 °C (1,6 мм от корпуса)

Сборка, винт 6-32 или M3< /п>