Оперативна пам'ять 8 ГБ DDR3 SO-DIMM PC3L 12800S 1600 МГц
- Время доставки: 7-10 дней
- Состояние товара: новый
- Доступное количество: 8
Оплачивая «Оперативна пам'ять 8 ГБ DDR3 SO-DIMM PC3L 12800S 1600 МГц» данное изделие из «Оперативная память» вы можете быть уверены, что после оформления заказа, доставки в Украину, вы получите именно то, что заказывали, в оговоренные сроки и европейского качества.
ОЗУ ДЛЯ НОУТБУКА (SO-DIMM)
SK HYNIX HMT41GS6BFR8A-PB
8 ГБ - 2Rx8 - PC3L-12800S-11-13-F3 - DDR3L / PC3L — 1600 МГц — CL11 — 1,35 В/1,5 В
ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ
- Производитель: SK HYNIX
- Модель: HMT41GS6BFR8A-PB
- Тип: SO-DIMM
- Емкость: 8 ГБ
- Стандарт: DDR3L / PC3L
- Скорость: 1600 МГц
- Классификация: PC3L-12800S-11-13-F3
- Задержка: CL11
- Напряжение: 1,35 В/1,5 В
- Разъем: 204 контакта < /li>
- Ранг: 2Rx8
- Безбуферизовано: Да
- Исправление ошибок: Не ECC
ПРИМЕЧАНИЕ
Карты памяти новые и поставляются в оптовой упаковке производителя.
Они не имеют заводской розничной упаковки.
ОЗУ ОЗУ ОТ ИЗВЕСТНЫХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ
- Dell
- IBM, Lenovo
- HP, Compaq
- Apple
- Asus
- Acer
- Toshiba
- MSI
- Fujitsu
- Samsung
SK HYNIX
SK hynix Inc. – южнокорейская компания по производству электронных систем. Ранее известная как Hyundai Electronic Industrial Co., Ltd., до отделения от конгломерата Hyundai Group в 2001 году. В основном он производит DRAM и флэш-память. Это один из крупнейших производителей памяти в мире.
ОЗУ 100% ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ
Все кости проверены программой MemTest86+, которая не выявила ошибок, так что вы сможете наслаждаться долго и без сбоев операции!
Memtest86+ — программа, разработанная для так называемых «стресс-тест» - его задача проверить стабильность работы при максимальной нагрузке оперативной памяти и обнаружить ошибки.
ТИП ПАМЯТИ
- ноутбуки / ноутбуки
- компьютеры малого размера на базе плат Mini-ITX
- некоторых офисных принтеров
- сетевое оборудование: маршрутизаторы, устройства / NAS-серверы
На фотографии ниже память SO-DIMM расположена в нижней части рисунка (модуль DIMM память показана выше).
СТАНДАРТ ПАМЯТИ
DDR3
Большинство типов модулей SO-DIMM можно отличить визуально по характерным насечкам:
204-контактные модули SO-DIMM (DDR3 SDRAM) имеют один вырез ближе к центру, чем 200-контактные модули SO-DIMM.
Память DDR3 выполнена по технологии 90 нм или меньше, что позволяет использовать более низкое напряжение (1,5 В по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR). В результате память DDR3 снизила энергопотребление примерно на 40% по сравнению с памятью DDR2 и увеличила пропускную способность по сравнению с DDR2 и DDR. Существуют также низковольтные модули DDR3L с питанием 1,35 В и модули DDR3U с питанием 1,2 В, определенные в документах «Стандарт JEDEC № 79-3-1A.01» (DDR3L) и «Стандарт JEDEC». № 79 -3-2" (DDR3U).
Память DDR3 не имеет обратной совместимости, т.е. не работает с чипсетами, поддерживающими DDR и DDR2. Модули с модулями DDR3 DIMM имеют смещенную выемку в правой части по отношению к модулям DIMM DDR2.
Поддержка памяти DDR3 для процессоров была введена в 2007 году в наборах микросхем материнских плат, предназначенных для процессоров Intel, и в 2009 году в процессорах AMD.
Память DDR3 доступна в виде модулей емкостью от 512 МБ до 16 ГБ.
В 2010 году JEDEC опубликовал спецификацию памяти DDR3L, которая является частью памяти DDR3. стандарт. Память Низковольтная память DDR3 имеет более низкое напряжение питания от 1,5 В до 1,35 В, что приводит к снижению энергопотребления на 10%. Память DDR3L обратно совместима с DDR3, однако не каждая материнская плата, совместимая с DDR3, позволяет модулям DDR3L работать при номинальном напряжении 1,35 В.
УВЕЛИЧЕННАЯ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ В ДВУХКАНАЛЬНОМ РЕЖИМЕ
Кости, которые мы вам отправим, будут беспрепятственно работать вместе в этом режиме.
ДВУХКАНАЛЬНЫЙ — это технология, используемая в контроллерах памяти для более эффективной обработки ОЗУ за счет удвоения пропускной способности передачи данных между контроллером памяти и ОЗУ, что приводит к увеличению производительности на 20–40 %.