НОВА RAM ПАМ'ЯТЬ SAMSUNG 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM


Код: 15103484798
2138 грн
Цена указана с доставкой в Украину
Товар есть в наличии
КАК ЭКОНОМИТЬ НА ДОСТАВКЕ?
Заказывайте большое количество товаров у этого продавца
Информация
  • Время доставки: 7-10 дней
  • Состояние товара: Б/У
  • Доступное количество: 21

Просматривая «НОВА RAM ПАМ'ЯТЬ SAMSUNG 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM», вы можете быть уверены, что данный товар из каталога «Оперативная память» будет доставлен из Польши и проверен на целостность. В цене товара, указанной на сайте, учтена доставка из Польши. Внимание!!! Товары для Евросоюза, согласно законодательству стран Евросоюза, могут отличаться упаковкой или наполнением.

❇️ НОВАЯ ОЗУ ОТ ОТВЕТСТВЕННЫХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ ИЗ ПЛАСТИКОВЫХ АНТИЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ КОРОБОК/БЛИСТЕРОВ ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ОЗУ ОЗУ

❇️ОЗУ DDR4 SAMSUNG 16 ГБ DDR4

❇️ОЗУ ДЛЯ НОУТБУКА (SO-DIMM)

❇️ОЗУ 100% ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ

  • ▶️Производитель: SAMSUNG
  • ▶️Модель: M471A2K43CB1-CTD
  • ▶️Тип: SO -DIMM
  • ▶️Емкость: 16
  • ▶️Стандарт: DDR4 / PC4
  • ▶️Скорость : 2666
  • ▶️Рейтинг: PC4-2666V
  • ▶️Задержка: 17
  • ▶️Напряжение: 1,2 В
  • ▶️Разъем: 260 контактов
  • ▶️Ранг: 2Rx8
  • ▶️Без буферизации: Да
  • ▶️Коррекция ошибок: Без ECC

☑️100% функционал и программное обеспечение проверены.

☑️СОСТОЯНИЕ ИДЕАЛЬНОЕ визуально память у них идеальны. Технически 100% работоспособен и протестирован.

НА ДРУГИХ НАШИХ АУКЦИОНАХ ВЫ КУПИТЕ: SSD-ДИСКИ, ОЗУ ОЗУ, ПРОЦЕССОРЫ И ДРУГИЕ КОМПОНЕНТЫ ДЛЯ НОУТБУКОВ/ПК

Добро пожаловать в магазин

⏩Все кости проверены программой MemTest86+, которая не выявила ошибок, поэтому вы сможете наслаждаться долгой и безотказной работой!

⏩Memtest86+ — программа, разработанная для так называемых «стресс-тест» - его задача проверить стабильность работы при максимальной нагрузке оперативной памяти и обнаружить ошибки.

❇️Каждая память упакована в антистатические пакеты:

  • ▶️Защитная упаковка электроники, интегральных схем и т.д.
  • ▶️Защита компонентов от влаги и пыли
  • ▶️Оснащена герметичной застежкой
  • ▶️Устойчив к влаге и электростатическим разрядам