SSD GOODRAM PX500 GEN.2 NVME PCIE GEN 3X4 512
- Время доставки: 7-10 дней
- Состояние товара: новый
- Доступное количество: 22
Просматривая «SSD GOODRAM PX500 GEN.2 NVME PCIE GEN 3X4 512», вы можете быть уверены, что данный товар из каталога «Твердотельные накопители» будет доставлен из Польши и проверен на целостность. В цене товара, указанной на сайте, учтена доставка из Польши. Внимание!!! Товары для Евросоюза, согласно законодательству стран Евросоюза, могут отличаться упаковкой или наполнением.
Твердотельный накопитель PX500 GEN.2 NVME PCIE GEN 3 X4
Твердотельный накопитель Goodram PX500 PCIe GEN.3 x4 NVMe 512 ГБ
- Емкость: 512 ГБ
- Интерфейс PCIe GEN 3 x4 NVMe
- Поддержка
- Поддержка b> b> NVMe 1.3
- Технология 3D NAND Flash
SSD PX500 GEN.2 NVME PCIE GEN 3 Второе поколение PX500 значительно повышает производительность компьютера. Его производительность, безусловно, улучшит работу более требовательных клиентов, предлагая скорость чтения до 2050 МБ/с. Он также идеально подходит в качестве автономного накопителя или в качестве дополнения к жесткому диску настольных компьютеров и ноутбуков. Возможности, доступные для PX500 gen.2, позволяют PX500 gen.2 хорошо себя чувствовать в обеих ролях.
Высокая производительность
Создавая накопитель на основе эффективной памяти 3D NAND, мы добились параметров последовательной передачи данных до 2050 МБ/с на чтение и 1650 МБ/с на запись.
< h2 >Новые возможности NVMeПротокол связи NVM Express был разработан с нуля с учетом быстрой флэш-памяти NAND. Используя его в PX500 gen.2, мы раскрыли весь потенциал его памяти, контроллера и интерфейса PCIe Gen 3 x4. NVMe значительно снижает задержку и количество очередей, делая его несравненно быстрее, чем твердотельные накопители на основе протоколов AHCI.
Температура под контролем
Одной из проблем, которая касается SSD формата M.2, является явление термического троттлинга, то есть ограничения производительности из-за слишком высоких температур компонентов. Чтобы предотвратить это, на поверхности компонентов PX500 gen.2 было использовано уникальное решение — покрытие диска специальной фольгой, состоящей из меди и графита. Благодаря этому мы добились очень хорошего отвода тепла без увеличения размера диска.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:
- Емкость: 512 ГБ
- Интерфейс: M.2 PCIe NVMe gen 3 x4 (клавиша M).
- Формат: M.2, размер 2280.
- Микросхемы памяти: 3D NAND Flash.
- Наработка на отказ: 2 000 000 часов
- Рабочая температура: 0–70°C
- Температура хранения: -45–85°C
- Размеры: 80 x 22 x 3,5 мм
- Последовательное считывание данных (макс.)1: 2000 МБ/с
- Последовательная запись данных (макс.)1: 1600 МБ/с
- TBW (ТБ)2: 330
- Характеристики емкости: 512 ГБ
- Видимая емкость в операционной системе: 476,94 ГБ
1На основе тестов, проведенных в Crystal Disk Mark 5.2.1 на новом SSD. Реальные параметры могут отличаться в зависимости от конфигурации компьютера и потребления SSD.
2При превышении значения TBW на изделие не распространяется гарантия.
Емкость твердотельных накопителей GOODRAM указана в соответствии с со стандартом IDEMA (LBA1-03). После форматирования диска емкость, отображаемая операционной системой, может быть ниже указанной.