Твердотельный накопитель Samsung 870 EVO 1 ТБ, 2,5 дюйма, SATA3 (560/530), V-NAND, 3 бита, TLC

Высокая производительность и надежность — твердотельный накопитель Samsung 870 EVO 1 ТБ

Твердотельный накопитель Samsung 870 EVO 1 ТБ — идеальное решение для людей, которые ищут быстрый и емкий носитель данных. Благодаря емкости 1 ТБ вы можете легко хранить все свои файлы, игры и программы. Сочетание 3-битной технологии TLC V-NAND и интерфейса SATA3 обеспечивает непревзойденную производительность чтения и записи данных. Кроме того, привод 870 EVO имеет прочную конструкцию, что гарантирует его долговечность и надежность.

Емкость 1 ТБ

Благодаря емкости 1 ТБ у вас будет достаточно места для всех ваших файлов, игр и программ, и вы не будете беспокоиться о нехватке места на диске.

Технология V-NAND 3bit TLC

Инновационная технология V-NAND 3bit TLC обеспечивает превосходную производительность при чтении и записи данных, что приводит к скорости и эффективности работы.

Интерфейс SATA3

Твердотельный накопитель Samsung 870 EVO емкостью 1 ТБ с интерфейсом SATA3 обеспечивает быструю передачу данных, что позволяет быстро загружать файлы и запускать приложения.

Надежная конструкция

Надежная конструкция накопителя 870 EVO гарантирует его долговечность и надежность, поэтому вы можете быть уверены в сохранности своих данных.

Идеально подходит для дома и офиса

Твердотельный накопитель Samsung 870 EVO емкостью 1 ТБ идеально подходит для дома и офиса, обеспечивая быструю и надежную работу при выполнении повседневных задач и обязанностей.

Технические параметры - SSD Samsung 870 EVO 1TB 2,5“ SATA3 (560/530) V-NAND 3bit TLC:

ОСНОВНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

• Формат диска: 2,5 дюйма
• Интерфейс: SATA
• Тип диска: SSD
• Тип чипа памяти: V-NAND
• Производитель: Samsung
• Емкость диска: 1 ТБ
• База данных SCIP: Нет
• Произвольное чтение: 98000 IOPS
• Цвет корпуса: Черный
• Общее описание: SSD Samsung 870 EVO 1TB 2,5“ SATA3 (560/530) V-NAND 3bit MLC

ХАРАКТЕРИСТИКИ

• Скорость чтения (макс): 560 МБ/с
• Скорость записи (макс): 530 МБ/ s
• Поддержка технологии TRIM: Да
• Поддержка технологии S.M.A.R.T.: Да
• Случайная запись: 88000 операций ввода-вывода в секунду.
• TBW (общее количество записанных байт): 600,0
• Техника записи данных: TLC

ДРУГИЕ ПАРАМЕТРЫ

• Характеристики: 1 ТБ; 560/ 530 МБ/с
• Дополнительная информация:

  - Память: Samsung V-NAND 3bit MLC

  - Поддержка TRIM; УМНЫЙ; WWN; Спящий режим устройства

  - Потребляемая мощность: макс. 30 мВт

  - Размеры: 100 x 69,85 x 6,8 мм

  - Вес: 45 г

  p>

  - Кэш: Samsung 1 ГБ Low Power DDR4 SDRAM

  - Допустимое напряжение: 5 В ± 5%

  - Рабочая температура: 0–70 ?

  - Ударопрочность: 1500 G / 0,5 мс (полусинусоидальная волна)