IRLR2905 NPN MOSFET 41A 55V TO252 SMD ТРАНЗИСТОР

Код: 12088630607
Как заказать
356 грн
Цена указана с доставкой в Украину
Товар есть в наличии
КАК ЭКОНОМИТЬ НА ДОСТАВКЕ?
Заказывайте большое количество товаров у этого продавца
ВСЕ ТОВАРЫ ПРОДАВЦА №45587666
Информация
  • Время доставки: 7-10 дней
  • Состояние товара: новый
  • Доступное количество: 96

Покупая «IRLR2905 NPN MOSFET 41A 55V TO252 SMD ТРАНЗИСТОР» данный товар из каталога «Транзисторы» вы можете быть уверены, что после оформления заказа, доставки в Украину, вы получите именно то, что заказывали, в оговоренные сроки и европейского качества.

IRLR2905 NPN MOSFET 41A 55V TO252 SMD ТРАНЗИСТОР

  • Производитель: Infineon (IRF).
  • Тип транзистора: N-образный тип транзистора - MOSFET.
  • Поляризация: Транзистор униполярно поляризован, что означает, что управление осуществляется одним типом носителя заряда.
  • Тип транзистора: Транзистор относится к HEXFET. Тип, который представляет собой хорошо известную технологию высокоэффективных униполярных транзисторов.
  • Напряжение сток-исток: максимальное напряжение, которое транзистор может выдерживать между стоком и истоком, составляет 55 В.
  • Ток стока : Максимальный ток, который может протекать через сток транзистора, составляет 42А.
  • Мощность: Максимальная мощность, которую транзистор может рассеивать без превышения допустимой температуры, составляет 110 Вт.
  • Корпус : Транзистор имеет корпус типа ДПАК. DPAK — это транзисторный корпус с технологией поверхностного монтажа (SMD), который обеспечивает удобный монтаж и хорошее охлаждение.
  • Напряжение затвор-исток: максимальное напряжение, которое можно приложить между затвором и истоком транзистора, составляет 16 В.< /li >
  • Сопротивление в проводящем состоянии: Сопротивление транзистора в проводящем состоянии составляет 27 мОм. Это сопротивление, которое транзистор оказывает протекающему току во включенном состоянии.
  • Термическое сопротивление корпуса мусоропровода: Термическое сопротивление между переходом и корпусом транзистора составляет 1,8 К/Вт. Это параметр, связанный с эффективным рассеиванием тепла.
  • Сборка: Транзистор предназначен для технологии поверхностного монтажа (SMD).
  • Заряд затвора: Заряд затвора транзистора составляет 32 нКл. Это величина, которая влияет на время переключения транзистора.

Предлагаем Вам ознакомиться с другими нашими привлекательными предложениями! Мы предлагаем широкий выбор высококачественной продукции, способной удовлетворить самые разные потребности.

Спасибо за интерес к нашей продукции и с нетерпением ждем вашего следующего визита!