MOSFET транзистор IRFZ34N оригінальний міжнародний випрямляч
- Час доставки: 7-10 днів
- Стан товару: новий
- Доступна кількість: 21
Приобретая «MOSFET транзистор IRFZ34N оригінальний міжнародний випрямляч» данный товар из каталога «Аналоговые» вы можете быть уверены, что после оформления заказа, доставки в Украину, вы получите именно то, что заказывали, в оговоренные сроки и европейского качества.
Оригінальний міжнародний випрямляч на МОП-транзисторі IRFZ34N
МОП-транзистори п’ятого покоління HEXFET від International Rectifier використовують передові методи обробки для досягнення найнижчого опору провідності на одиницю площі кремнію. Ця перевага в поєднанні з високою швидкістю перемикання та міцною конструкцією пристрою, якою відомі МОП-транзистори HEXFET, надає розробнику надзвичайно ефективний пристрій для використання в широкому діапазоні програм. Пакет TO-220 широко переважний у всіх комерційних/промислових застосуваннях з рівнями розсіювання потужності приблизно до 50 Вт. Низький термічний опір TO-220 і низька вартість упаковки сприяють його широкому поширенню в промисловості.
ID при TC = 25°C – постійний струм витоку, VGS при 10 В: 26 A
ID @ TC = 100°C - Постійний струм витоку, VGS при 10 В: 18 A
IDM - Імпульсний струм витоку: 100 A
PD @ TC = 25°C - розсіюється потужність, 56 Вт
Коефіцієнт зниження потужності як функція температури: 0,37 Вт/°C
VGS - Напруга затвор-джерело: ±20 В
EAS - Лавинна енергія одного імпульсу: 110 мДж
IAR - Лавинний струм: 16 A
EAR - Повторювана лавинна енергія: 5,6 мДж
dv/dt - Максимальна швидкість зміни напруги на діоді в зворотному стані: 4,6 В/нс
TJ - Температура переходу під час роботи: -55°C до +175°C
TSTG - Діапазон температур зберігання : від -55 °C до +175 °C
Температура пайки, протягом 10 секунд: 300 °C (1,6 мм від корпусу)
Збірка, 6-32 або гвинт M3