Оперативна пам'ять 8 ГБ DDR3 SO-DIMM PC3L 12800S 1600 МГц
- Час доставки: 7-10 днів
- Стан товару: новий
- Доступна кількість: 8
Оплачивая «Оперативна пам'ять 8 ГБ DDR3 SO-DIMM PC3L 12800S 1600 МГц» данное изделие из «Оперативная память» вы можете быть уверены, что после оформления заказа, доставки в Украину, вы получите именно то, что заказывали, в оговоренные сроки и европейского качества.
ОЗУ ДЛЯ НОУТБУКА (SO-DIMM)
SK HYNIX HMT41GS6BFR8A-PB
8 ГБ - 2Rx8 - PC3L-12800S-11-13-F3 - DDR3L / PC3L - 1600 МГц - CL11 - 1,35 В / 1,5 В
ТЕХНІЧНІ ДАНІ
- Виробник: SK HYNIX
- Модель: HMT41GS6BFR8A-PB
- Тип: SO-DIMM
- Ємність: 8 ГБ
- Стандарт: DDR3L / PC3L
- Швидкість: 1600 МГц
- Класифікація: PC3L-12800S-11-13-F3
- Затримка: CL11
- Напруга: 1,35 В / 1,5 В
- З'єднувач: 204 контакти < /li>
- Рейтинг: 2Rx8
- Без буферизації: Так
- Виправлення помилки: Не-ECC
ПРИМІТКА
Картки пам’яті є новими та постачаються з масової упаковки виробника.
Вони не мають фабричної роздрібної упаковки.
RAM ПАМ'ЯТЬ ВІД ВІДОМИХ ВИРОБНИКІВ
- Dell
- IBM, Lenovo
- HP, Compaq
- Apple
- Asus
- Acer
- Toshiba
- MSI
- Fujitsu
- Samsung
SK HYNIX
SK hynix Inc. – південнокорейська компанія з виробництва електронних систем. Раніше відома як Hyundai Electronic Industrial Co., Ltd. до відділення від конгломерату Hyundai Group у 2001 році. В основному він виробляє DRAM і флеш-пам'ять. Це один із найбільших виробників пам’яті у світі.
RAM 100% FUNCTIONAL
Усі кістки були перевірені програмою MemTest86+, яка не виявила жодних помилок, тож ви зможете насолоджуватися довго та без збоїв
Memtest86+ — це програма, призначена для т.зв. «Стрес-тест» - його завдання полягає в перевірці стабільності при максимальному навантаженні оперативної пам'яті та виявленні будь-яких помилок.
ТИП ПАМ'ЯТІ
- ноутбуки / ноутбуки
- маленькі комп'ютери на основі плат Mini-ITX
- деяких офісних принтерів
- мережевого обладнання: маршрутизаторів, пристроїв / Сервери NAS
На фотографії нижче пам'ять SO-DIMM розташована в нижній частині графіки (DIMM пам'яті показано вище).
СТАНДАРТ ПАМ'ЯТІ
DDR3
Більшість типів модулів SO-DIMM можна візуально розпізнати за характерними виїмками:
204-контактні модулі SO-DIMM (DDR3 SDRAM) мають єдину виїмку ближче до центру, ніж 200-контактні модулі SO-DIMM.
Пам’ять DDR3 виготовляється за технологією 90 нм або менше, що дозволяє використовувати нижчу напругу (1,5 В порівняно з 1,8 В для DDR2 і 2,5 В для DDR). Як наслідок, пам’ять DDR3 зменшила енергоспоживання приблизно на 40% порівняно з пам’яттю DDR2 і вищу пропускну здатність порівняно з DDR2 та DDR. Існують також низьковольтні модулі DDR3L з живленням 1,35 В і модулі DDR3U з живленням 1,2 В, визначені в документах «Стандарт JEDEC № 79-3-1A.01» (DDR3L) і «Стандарт JEDEC № 79 -3-2" (DDR3U).
Пам'яті DDR3 не є зворотно сумісними, тобто не працюють з чіпсетами, які підтримують DDR і DDR2. Модулі з DDR3 DIMM мають зміщену виїмку в правій частині відносно модулів DIMM DDR2.
Підтримка пам'яті DDR3 для процесорів була представлена в 2007 році в чіпсетах материнських плат, призначених для процесорів Intel, і в 2009 році в процесорах AMD.
Пам’ять DDR3 доступна в модулях об’ємом від 512 МБ до 16 ГБ.
У 2010 році JEDEC опублікував специфікацію пам’яті DDR3L, яка є частиною пам’яті DDR3. стандарт. Оперативна пам'ять DDR3 низької напруги має нижчу напругу живлення від 1,5 В до 1,35 В, що призводить до зниження енергоспоживання на 10%. Пам'ять DDR3L зворотно сумісна з DDR3, проте не кожна материнська плата, сумісна з DDR3, дозволить модулям DDR3L працювати при номінальній напрузі 1,35 В.
ПІДВИЩЕНА ПРОДУКТИВНІСТЬ У ДВОКАНАЛЬНОМУ РЕЖИМІ
Кістки, які ми надішлемо вам, безпроблемно працюватимуть разом у цьому режимі.
ДВОХАНАЛЬНИЙ – це технологія, яка використовується в контролерах пам’яті для більш ефективного керування оперативною пам’яттю шляхом подвоєння пропускної здатності передачі даних між контролером пам’яті та оперативною пам’яттю, що призводить до збільшення продуктивності на 20%-40%.