Оперативна пам'ять DDR4 HYNIX HMAA4GS6AJR8N-XN 32 ГБ


Код: 16517413441
4417 грн
Ціна вказана з доставкою в Україну
Товар є в наявності
ЯК ЕКОНОМИТИ НА ДОСТАВКЕ?
Замовляйте велику кількість товарів у цього продавця
Інформація
  • Час доставки: 7-10 днів
  • Стан товару: Б/В
  • Доступна кількість: 3

Оплачивая «Оперативна пам'ять DDR4 HYNIX HMAA4GS6AJR8N-XN 32 ГБ», вы можете быть уверены, что данное изделие из каталога «Оперативная память» будет доставлено из Польши и проверено на целостность. В цене товара, указанной на сайте, учтена доставка из Польши. Внимание!!! Товары для Евросоюза, согласно законодательству стран Евросоюза, могут отличаться упаковкой или наполнением.

❇️ НОВА ПАМ’ЯТЬ ОЗУ ВІД ДОВІРНИХ ВИРОБНИКІВ ПОХОДЯТЬ У ПЛАСТИКОВИХ АНТИЕЛЕКТРОСТАТИЧНИХ КОРОБКАХ/БЛІСТЕРАХ ДЛЯ ЗБЕРІГАННЯ ОЗУ

❇️НОВА ПАМ'ЯТЬ RAM DDR4 SK HYNIX 32 ГБ

❇️НОВА ПАМ'ЯТЬ RAM ДЛЯ НОУТБУКА (SO-DIMM)

❇️ПАМ'ЯТЬ RAM НА 100% ФУНКЦІОНАЛЬНА

  • ▶️Виробник: SK HYNIX
  • ▶️Модель: HMAA4GS6AJR8N-XN N0 AC
  • ▶️Тип: SO-DIMM
  • ▶️Ємність: 32 ГБ
  • ▶️Стандарт: DDR4 / PC4
  • ▶️Швидкість: 3200
  • ▶️Класифікація: PC4-3200AA
  • ▶️Напруга: 1,2 V
  • ▶️Роз’єм: 260 контактів
  • ▶️Небуферизований: Так
  • ▶️ Помилка виправлення:Не відповідає ECC

☑️100% перевірено функціональність і програмне забезпечення.

☑️ІДЕАЛЬНИЙ СТАН Візуально спогади ідеальні. Технічно 100% справний і перевірений.

НА ІНШИХ НАШИХ АУКЦІОНАХ ВИ КУПУЄТЕ: SSD ДИСКІВ, RAM ПАМ'ЯТЬ, ПРОЦЕСОРИ ТА ІНШІ КОМПОНЕНТИ ДЛЯ НОУТБУКІВ/ПК

ЛАСКАВО ПРОСИМО В ПОКУПКИ

✅Всі кубики перевірені програмою MemTest86+, яка не виявила жодних помилок, тож Ви зможете насолоджуватися тривалою та безвідмовною роботою!

✅Memtest86+ — це програма, призначена для т.зв. «Стрес-тест» - його завдання полягає в перевірці стабільності при максимальному навантаженні оперативної пам'яті та виявленні будь-яких помилок.

❇️Кожна пам’ять упаковується в пакети ESD:

  • ▶️Захисне пакування електроніки, інтегральних схем тощо.
  • ▶️Захист компонентів від вологи та пилу
  • ▶️З щільним закриттям
  • ▶️Стійкий до вологи та електростатичного розряду